上海积塔半导体请求沟槽型MOSFET结构及其构成办法专利下降栅极介质层产生击穿的概率

时间: 2024-12-22 01:16:38 |   作者: 新闻中心

  金融界2024年12月12日音讯，国家知识产权局信息数据显现，上海积塔半导体有限公司请求一项名为“沟槽型MOSFET结构及其构成办法”的专利，公开号 CN 119108420 A，请求日期为2024年10月。

  专利摘要显现，本发明触及一种沟槽型MOSFET结构及其构成办法。所述沟槽型MOSFET结构包含：基底，所述基底包含相对散布的顶面和底面；栅极沟槽，坐落所述基底内，且所述栅极沟槽沿榜首方向自所述基底的顶面向所述基底的内部延伸；栅极结构，坐落所述栅极沟槽内，所述栅极结构包含掩盖所述栅极沟槽内壁的栅极介质层和掩盖所述栅极介质层的外表且填充溢所述栅极沟槽的栅极导电层，所述栅极介质层的资料为高介电常数资料且所述栅极导电层的资料为金属资料本发明下降坐落所述栅极沟槽底部角落处的所述栅极介质层产生击穿的概率，并且完成了对所述沟槽型MOSFET结构制作工艺的简化、制作功率的进步以及制作本钱的下降。

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